消息称三星将发布超高速 32Gb DDR5 内存芯片，容量翻倍且更省电

每日科技头条讯：据悉，三星将在2024年的IEEE国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的GDDR7内存，这家韩国科技巨头还将发布一款超高速DDR5内存芯片。这款大容量32Gb DDR5 DRAM采用12纳米级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于16Gb DDR5 DRAM的容量。

据悉，三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在2023年底首次宣布新DDR5产品时表示：“凭借我们的12nm级32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达1TB（TB）的DRAM模块，使我们能够理想地满足人工智能（AI）和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求。”

根据介绍，三星最新的DDR5技术允许在单通道配置下以8000速度创建32GB和48GB DIMM，并支持双通道配置下的64GB和96GB DIMM。这无疑给数据中心带来了一种受欢迎的解决方案。